Бренды по алфавиту:
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
  • IRL1404ZSPBF
  • IRL1404ZSPBF
Производитель: Infineon
Код производителя: IRL1404ZSPBF
Артикул: Р-0714026
Работаем с юридическими лицами, бюджетными организациями, ИП
По вопросам приобретения товара пишите на 100@4250107.ru
Оплата по безналичному расчету согласно выставленному счету
Самовывоз - бесплатно, от 300руб. до пункта выдачи в Вашем городе, доставка от 500руб. "до двери"
N-Channel Power MOSFET 40V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
19 ns
Типичное время задержки выключения
30 ns
Максимальный непрерывный ток стока
200 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
230 W
Серия
HEXFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
9.65мм
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.4V
Высота
4.83мм
Максимальное сопротивление сток-исток
3 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Число контактов
3
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
75 нКл при 5 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
5080 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 V, +16 V
Наш менеджер свяжется с вами в ближайшее время