Бренды по алфавиту:
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
  • IXFN60N80P
  • IXFN60N80P
Производитель: IXYS
Код производителя: IXFN60N80P
Артикул: Р-1025662
Работаем с юридическими лицами, бюджетными организациями, ИП
По вопросам приобретения товара пишите на 100@4250107.ru
Оплата по безналичному расчету согласно выставленному счету
Самовывоз - бесплатно, от 300руб. до пункта выдачи в Вашем городе, доставка от 500руб. "до двери"
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
53 А
Тип корпуса
SOT-227B
Максимальное рассеяние мощности
1040 Вт
Тип монтажа
Монтаж на панели
Ширина
25.42мм
Высота
9.6мм
Размеры
38.23 x 25.42 x 9.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
38.23мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
36 нс
Типичное время задержки выключения
110 ns
Серия
HiperFET, Polar
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Максимальное сопротивление сток-исток
140 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Число контактов
4
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
250 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
18000 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Наш менеджер свяжется с вами в ближайшее время